半導體功率器件靜態參數測試儀系統STD2000X能測很多電子元器件靜態參數以及IV曲線掃描
如 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs，Diodes，MOSFETs，HEMT，BJTs，SCRs，光耦，繼電器，穩壓器......
可以外接夾具、工裝、探針臺、分選機、編帶機、機械手
高壓源 1400V（選配2KV/2.5KV/3KV）
高流源 40A（選配 100A,200A,300A,500A,1000A）
柵極電壓電流 20V（選配40V/100V）
分辨率最高至 100uV / 100pA 精度最高可至 0.1%
靜態參數測試 + IV 曲線掃描 + 光耦開關特性 + 二極管 Trr + 分選機探針臺連接

一、應用場景
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X主要應用場景列舉如下
1、測試分析（功率器件研發設計階段的初始測試）
2、失效分析（對失效器件進行測試分析，查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案）
3、選型配對（在器件焊接至電路板之前進行全部測試，將測試數據比較一致的器件進行分類配對）
4、來料檢驗（研究所及電子廠的質量部（IQC）對入廠器件進行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
5、量產測試（可(ke)連接機(ji)(ji)械(xie)手、掃碼(ma)槍、分選機(ji)(ji)等各類輔(fu)助機(ji)(ji)械(xie)設(she)備，實(shi)現規(gui)模化、自動化測試）

二、配置一覽

半導體功率器件靜態參(can)(can)數測(ce)試儀系統設備(bei)STD2000X的主要配(pei)置參(can)(can)考(kao)上(shang)圖

三、產品特點
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X的主要特點如下

四、測試對象測試參數
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X能測Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs，Diodes，MOSFETs，HEMT，BJTs，SCRs，光耦，繼電器，穩壓器......可以外接夾具、工裝、探針臺、分選機、編帶機、機械手

五、人機界面
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X程控軟件基于 LabVIEW 平臺編寫，以及C++兩個版本。自由選擇。填充式菜單界面。中文語言，操作明了快捷；

六、參數指標
半導體功率器(qi)件(jian)靜態參(can)數測(ce)試儀系統設備STD2000X有多(duo)個VI板卡(ka)，矩陣(zhen)板卡(ka)。量程、精度、分辨率如下

電流源，電壓源
1). 加壓(FV) VIS自帶VI測量單元
量程 分辨率 精度
±40V 625uV ±0.1% 設定值±5mV
±20V 320uV ±0.1% 設定值±5mV
±10V 160uV ±0.1% 設定值±5mV
±5V 80uV ±0.1% 設定值±5mV
±2V 32uV ±0.1% 設定值(zhi)±5mV

2).加流(FI)： VIS自帶VI測量單元
量程 分辨率 精度
±200A 3.125mA ±5% 設定值±500mA
±100A 1.5625mA ±5% 設定值±250mA
±40A 625uA ±1% 設定值±100mA
±4A 62.5uA ±0.2% 設定值±10mA
±400mA 6.25uA ±0.1% 設定值±500uA
±40mA 625nA ±0.1% 設定值±50uA
±4mA 62.5nA ±0.1% 設定值±5uA
±400uA 6.25nA ±0.1% 設定值±500nA
±40uA 625pA ±0.1% 設定值±50nA
±4uA 62.5pA ±0.1% 設定值(zhi)±5nA

3). 電流測量(MI) ADC16位
量程 分辨率 精度
±200A 6.1mA ±5% 讀數值±500mA
±100A 305uA ±5% 讀數值±250ma
±40A 1.22mA ±1% 讀數值±100mA
±4A 122uA ±0.2% 讀數值±10mA
±400mA 12.2uA ±0.5% 讀數值±200uA
±40mA 1.22uA ±0.5% 讀數值±20uA
±4mA 122nA ±0.5% 讀數值±2uA
±400uA 12.2nA ±0.5% 讀數值±200nA
±40uA 1.22nA ±1% 讀數(shu)值±20nA

4). 電壓測量(MV) ADC16位
量程 分辨率 精度
±40V 1.22mV ±0.1% 讀數值±10mV
±20V 122uV ±01% 讀數值±5mV
±10V 12.2uV ±0.1% 讀數值±5MV
±5V 1.22uV ±0.1% 讀數(shu)值±5MV

2.數(shu)據(ju)采集部分 VM 16位ADC，250K采樣速(su)率

1). 電壓測量(MV)
量程 分辨率 精度
±2000V 30.5mV ±0.5% 讀數值±200mV
±1000V 15.3mV ±0.2% 讀數值±100mV
±100V 1.53mV ±0.2% 讀數值±20mV
±10V 153uV ±0.1% 讀數值±5mV
±1V 15.3uV ±0.1% 讀數值±2mV
±0.1V 1.53uV ±0.2% 讀數值±2mV

2). 漏電流測量(MI)
量程 分辨率 精度
±100mA 1.53uA ±0.2% 讀數值±100uA
±10mA 153nA ±0.1% 讀數值±3uA
±1mA 15.3nA ±0.1% 讀數值±300nA
±100uA 1.53nA ±0.1% 讀數值±100nA
±10uA 153pA ±0.1% 讀數值±20nA
±1uA 15.3pA ±0.5% 讀數值±5nA
±100nA 1.53pA ±0.5% 讀(du)數值±1nA

3). 電容容量測量(MC)
量程 分辨率 精度
6nF 10PF ±5% 讀數值±50PF
60nF 100PF ±5% 讀數值(zhi)±100PF

3.高壓源 HVS(基本)16位DAC

1).加壓(FV)
量程 分辨率 精度
2000V/10mA 30.5mV ±0.5% 設定值±500mV
200V/10mA 30.5mV ±0.2% 設定值±100mV
40V/50mA 30.5mV ±0.1% 設定(ding)值±5mV

2).加流(FI)
量程 分辨 率精度
10mA 3.81uA ±0.5% 設定值±10uA
2mA 381nA ±0.5% 設定值±2uA
200uA 38.1nA ±0.5% 設定值±200nA
20uA 3.81nA ±0.5% 設定值±20nA
2uA 381pA ±0.5% 設(she)定值±20nA

七、IV曲線功能
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X能實時自動進行IV曲線掃描；

IGBT——N溝道/P溝道
IC vs. VCE [at range of VGE]
IC vs. VGE [at range of VCE]
ICES vs. VCE
IF vs. VF
VCE vs. VGE
Mosfet——N溝道/P溝道
ID vs. VDS [at range of VGS]
ID vs. VGS [at range of VDS]
IS vs. VSD
RDS vs. VGS [at fixed ID]
RDS vs. ID [at several VGS]
IDSS vs. VDS [Beverse Bias Selectabe]
VGSTH vs. ID
JFET——N溝道/P溝道
ID(OFF) vs. VDS [at range of VGS]
ID(OFF) vs. VGS [Reverse Bias][at fixed VDS]
ID(ON) vs. VDS [at range of VGS]
ID(ON) vs. VGS [Reverse Bias][at fixed VDS]
三極管——NPN/PNP
HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEB0 vs. IE
ICBO vs. VCBO
VCE(SAT) vs. IC [at fiked IC/IB ratio]
VCE(SAT) vs. IB [at range of IC]
VBE(SAT) vs. IC [at fixed IC/IB ratio]
VBE(ON) vs. IC [at fixed VCE]
IC vs. VCE [at range of IB][Curve Tracer only]
IEBO vs. VEB
ICEO vs. VCE
固態過壓保護器
IT vs. VT+[at fixed IBO]
IT vs. VT- [at fixed IB0]
正向穩壓器
Electronic Load vs. VOUT [at fixed IMAX]
負向穩壓器
Electronic Load vs. VOUT [at fixed IMAX]
齊納二極管
IF vs. VF
IZ vs. BVZ
雙向觸發二極管
ID vs. VF+
ID vs. VF-
雙向可控硅
IT vs. VT+ [at fixed IG and RGK open]
IT vs. VT- [at fixed IG and RGK open]
二極管
IF vs. VF
IR vs. VR
高壓觸發二極管
IT vs. VT+[at fixed IBO]
IT vs. VT- [at fixed IB0]
可控硅
IT vs. VTM [at fixed IG and RGK open]

八、光耦靜態參數動態參數測試
半導體功率器件靜態參數測試儀系統設備STD2000X能測試光耦的動態參數、靜態參數；

九、關于本機
半導體功(gong)率(lv)器件(jian)靜態(tai)參(can)(can)數(shu)(shu)測試儀系(xi)統(tong)設(she)備STD2000X是由我公司技(ji)術團隊結(jie)合半導體功(gong)率(lv)器件(jian)測試的多年經驗，以及眾多國(guo)內外(wai)測試系(xi)統(tong)產品的熟(shu)悉了解后，完全自主開發(fa)設(she)計的全新(xin)一代(dai)“晶體管直流參(can)(can)數(shu)(shu)測試系(xi)統(tong)”。軟件(jian)及硬件(jian)均由團隊自主完成。這(zhe)就(jiu)決(jue)定了這(zhe)款(kuan)產品的功(gong)能性和(he)可靠性能夠得到持(chi)續完善和(he)不(bu)斷的提升。

脈沖信號源(yuan)輸出方面，高(gao)壓(ya)(ya)源(yuan)標(biao)配(pei) 1400V（選配(pei) 2KV），高(gao)流源(yuan)標(biao)配(pei) 40A（選配(pei) 100A,200A,500A）柵極電(dian)(dian)壓(ya)(ya) 40V，柵極電(dian)(dian)流 100mA，分辨(bian)率最(zui)高(gao)至(zhi)(zhi) 1.5uV / 1.5pA，精度最(zui)高(gao)可至(zhi)(zhi) 0.1%。程控軟(ruan)件基于 LabVIEW 平臺編寫(xie)，填(tian)充式菜單界面。采(cai)用帶有(you)(you)開爾文(wen)感應結構的(de)(de)(de)測試(shi)插座，自(zi)動補償由于系統內部(bu)及(ji)測試(shi)電(dian)(dian)纜長(chang)度引起的(de)(de)(de)任何(he)壓(ya)(ya)降，保(bao)證測試(shi)結果準確可靠。產品可測試(shi) Si, SiC, GaN 材料(liao)的(de)(de)(de) IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等(deng) 7 大類 26 分類的(de)(de)(de)電(dian)(dian)子(zi)元器(qi)件。涵蓋電(dian)(dian)子(zi)產品中幾(ji)乎所有(you)(you)的(de)(de)(de)常見(jian)器(qi)件。無論電(dian)(dian)壓(ya)(ya)電(dian)(dian)流源(yuan)還是(shi)功能配(pei)置都(dou)有(you)(you)著極強的(de)(de)(de)擴展(zhan)性

產品為(wei)桌(zhuo)面放置(zhi)的(de)臺式機(ji)結構，由測(ce)試(shi)主(zhu)機(ji)和(he)程(cheng)控電腦兩大(da)部分(fen)組(zu)成。外掛各類夾具和(he)適配器，還能(neng)夠(gou)通(tong)過 Prober 接(jie)口、Handler 接(jie)口可選(xuan)（16Bin）連(lian)接(jie)分(fen)選(xuan)機(ji)和(he)機(ji)械(xie)手建立工作(zuo)站，實現快速批(pi)量化(hua)測(ce)試(shi)。通(tong)過軟(ruan)件設置(zhi)可依照被測(ce)器件的(de)參(can)數等(deng)級進(jin)行自動分(fen)類存放。能(neng)夠(gou)極好的(de)應(ying)對“來料檢驗”“失效分(fen)析”“選(xuan)型配對”“量產測(ce)試(shi)”等(deng)不同場(chang)景。

產品的可靠性(xing)和測(ce)試數據的重復性(xing)以及測(ce)試效率都有著非(fei)常優秀的表現(xian)。創新的“點控式夾(jia)具”讓(rang)操作(zuo)人員在夾(jia)具上實現(xian)一點即測(ce)。操作(zuo)更簡單效率更高。測(ce)試數據可保存為 EXCEL 文本。